其主要是由透光的基板，有树脂或玻璃以及不透光的遮光膜，在光掩模的制造过程当中，它的直接材料成本占到了67%，而基板就占这个直接材料的90%，整个基板占到了其总成本的60%左右，其它的一些辅助材料占比小一些。
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湿电子试剂：
即高纯度的试剂，根据用途不同湿电子化学品可以分为超净高纯的试剂，及其以光刻胶配套试剂为代表的功能性化学品。
湿电子化学品在各个流程中主要应用在清洗、光刻、刻蚀上，在光刻这道工序上主要应用在硅片前处理云胶、显影、剥离这些环节，在晶圆加工上主要是应用在高纯度的抛光清洗上，其中用到硫酸、双氧水、氨水、显影液等。
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抛光材料：
这是通过化学腐蚀或者机械研磨两种方式把晶圆表面进行平坦化工艺的总称。它的一个技术难点就是需要制成在微米以下。
诸如机械抛光在半导体的前道加工和后端制成上都有应用，如浅沟槽隔离、层间介质抛光、金属内介质抛光等。
抛光系统的组成包括：抛光设备、抛光液、抛光垫等。其中像抛光垫是由一种疏松的多孔材料制成，一般如聚亚胺酯类，有一定的弹性能够吸收一定的抛光液，而抛光液是由磨料ph值调节剂、氧化剂、分散剂、表面活性剂混合而成。
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光刻胶：
这是由溶剂、树脂、光引发剂和单体与其它助剂构成，光刻胶在应用上可以理解成是在一些物体上喷漆使用的胶带一样的性质，只不过光刻胶是微米级乃至纳米级的工艺。
光刻胶在制程工艺内部大规模集成电路制造的一个过程中，光刻和刻蚀技术是最重要的工艺，而且因为尺度小，在制作过程中有重复十多次的光刻、刻蚀、烘焙、涂胶等一系列工艺过程，通过这一系列的过程把电路印至到硅片上，就让光刻胶的应用变得非常重要了。
随着半导体制程不断提升，从微米级到纳米级的演进，光刻胶的波长也从紫外宽谱延伸到了g线(436nm)、i线(365nm)、krf(248nm)、arf(193nm)和euv()的制程。
相应的光刻胶成分也要发生变化，因为像曝光波长越短对光刻胶的技术水平要求就越高，其所适应的集成电路的制程就会越先进，不同光刻波长所应用的光刻胶成分也是不同的。
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溅射靶材：
在溅射的过程当中，高速的离子束轰击目标材料，也就是轰击靶材，把金属离子剥离沉积在硅片上的过程，是沉积电子薄膜的原材料。
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