沈靖不由得看了两人一眼，陈舟和张一凡都是认真的在看着文献，全然不像刚才还说说笑笑的模样。
“这进入状态也太快了吧？”沈靖暗自嘀咕一声。
他却不知道，张一凡的学习习惯，基本上都是在高中复读时，坐在陈舟身边，被那股压力给压出来的。
不止是张一凡，陈舟周边的同学，或多或少的都受到了不少的影响。
在陈舟改变的同时，他们也在默默的改变着。
陈舟把主要的整理任务分别交给了张一凡和沈靖，这也让他有了时间，可以更多的去研究金刚石薄膜的整个制备工艺。
只有完全了解，才能改进制备方法。
而且，陈舟并不打算一开始就针对MPCVD法去研究。
他打算先全面一点，再寻求突破。
金刚石薄膜的制备方法有一个变迁。
从上世纪50年代的高温高压，到80年代初日国科学家首次使用的CVD法，再到今天的多种合成方法。
说是多种合成方法，但其实也都是基于CVD法的基础上，进行改进的。
【热丝CVD法（HFCVD）制备金刚石膜】
这篇文献对于HFCVD法制备金刚石膜的介绍比较全面。
虽然这种方法是CVD法的鼻祖，但是现在使用的仍然非常普遍，而且发展成沉积金刚石薄膜较为成熟的方法之一。
这种方法需要在衬底上方设置金属热丝，常用的像钨丝、钽丝。
再将含碳气体高温加热到2000~2200℃，进行分解，形成活性粒子。
在氢原子作用下，就会在衬底上沉积而形成金刚石。
这种方法，虽然简单，但是沉积效率很低，比四十三所现在用的方法要低很多。
不仅如此，而且工艺稳定性差，容易造成污染。
虽然文献中还提了两种改良的方法，但是陈舟同样不认同。
因为效率是提高了，但是金刚石薄膜的质量，还是太低。
对于金刚石半导体材料和器件的研究，显然不适用。
但是，改良方法，陈舟觉得可以一试。
一种是反应气体分送的HFCVD法，也就是把碳源气体和氢气由热丝的下方和上方分别送入。
另一种是电子助进的HFCVD法，通过给衬底加大约150V的偏压，实现沉积速率的提升。
陈舟看文献的速度很快，即使是一边看一边记的情况，他的效率也远远超过了其他人。