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光刻胶占据电子材料至高点,对于国家的发展至关重要。
上游原材料且不提,主要是中游制造,主要分为:PCB光刻胶、LCD光刻胶、半导体光刻胶三种,分别对应着下游应用:PCB产业、面板产业、半导体产业。最后则是电子产品应用终端,比如手机、家电、航空航天、汽车电子等等。
不难看出,发展光刻胶对于一个国家科研、工业产业等发展至关重要。
前世,半导体光刻胶按照曝光波长不同可分为g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)以及新兴起的EUV光刻胶5大类,高端光刻胶指KrF、ArF和EUV光刻胶,等级越往上其极限分辨率越高,同一面积的硅晶圆布线密度越大,性能越好。
当前的半导体制程还不那么先进,主流工艺在800-1200nm之间,因此波长436nm的光刻光源就够用。
中国在70年代就开始研究光刻胶了。
光刻胶巨头JSR,也只是在1979年进入光刻胶领域。但JSR的半导体光刻胶逐渐全面覆盖从g线到EUV。
而中国直接在八十年代放弃光刻胶的研发了。
不过这也怪不得当时的决定,处处落后,各方面都被国外垄断了,想要发展光刻胶,简直难如登天。
但如今,龙芯设计公司、无疆微电子公司和无疆公司实现了从芯片设计到芯片生产以及芯片下游应用终端的产业产闭环。这让国产光刻胶迎来历史性机遇,也为研发光刻胶提供了动力。为了不被卡脖子,自主研发光刻胶是必然的选择。
三周之后,在黄昆、秦国刚、王守武、王圩等人的帮助下,国家开始行动起来,探究讨论,调集资源,组建了无疆光刻胶有限公司。