日本和德国公司在光刻机光学系统、光刻胶和掩膜版技术上领先世界。
GCA的最大缺点就是因为蔡司公司提供的光学系统跟不上光刻机行业的飞速发展，导致GCA每次光学系统更新都比尼康公司慢半拍，制程工艺比尼康慢一代，在高端光刻机市场上被步步领先的尼康公司打败。
工作台就是一个大托盘，下面是线性马达来控制平台移动。
正常途径就是光源通过反光镜镜头组，集光再反投到掩膜板上。
掩膜板就是电路图反刻，从实验室里刻出来的，光透过掩膜板透明的部分投放到硅片上，曝光几十毫秒后，通过化学反应弄出硅片上的电路图。
掩膜板主要是玻璃片，上面刻有预想的电路，然后放在机器上曝光，刻到硅片上看效果。
光刻机光源从六十年代初到八十年代中期，汞灯已用于光刻，其波长分别为436nm（g线）、405nm（h线）和365nm（i线）。
随着半导体行业对更高分辨率（集成度更高和速度更快的芯片）和更高产量（更低成本）的需求，基于汞灯光源的光刻工具已不再能够满足半导体业界的高端要求，KrF（248nm）和ArF（193nm）准分子激光器应运而生，对镜头、掩膜版和光刻胶的要求更高。
随着芯片制程工艺的提升，光刻机成为半导体行业发展的关键设备。
虽然受到《日美半导体协议》的影响，日本半导体如今失去了美国市场，但代表世界光刻机最高水平的尼康光刻机还在不断进步，II、AMD和HP等半导体设备公司派业务代表，长期住在尼康半导体设备公司，翘首以盼最先进的光刻机出厂。